第284章 半导体进阶技术（1/2）

工厂会议室里，李明远站在一张巨大的蓝图前，向众人解释新园区的布局。

"这不是简单的扩建，而是一场革命。

"李明远的眼中闪烁着激情，

"我们要在这里建立龙国第一个现代化军工综合体，从材料到电子，从机械到软件，全部自主可控。

"

会议结束后，老刘拉住李明远，

"老弟，你这计划太大了，三个月能见成效吗？

"

李明远神秘地笑了笑，

"放心，我有办法。

"

……

深夜的实验室里，只有李明远一人。

李明远打开了系统，点开了物品栏中的

"北极熊国电子技术资料

"。

"就这点东西，也不知道够不够啊...

"李明远叹了口气。

他仔细阅读着资料，试图理解其中的原理。

北极熊国的电子技术虽然落后于敌国，但在某些领域有独特的思路，特别是在恶劣环境下的可靠性设计方面。

随着阅读的深入，李明远感到一阵熟悉的眩晕，视野中开始出现闪烁的代码。

【检测到宿主正在研究电子技术，悟性达标】

【触发

"悟性逆天

"技能】

【正在提取相关技术信息...】

【提取完成，已生成完整技术资料包】

李明远的眼前仿佛打开了一扇新的大门，海量的信息如潮水般涌入他的脑海：

半导体物理学的基础理论、晶体管和集成电路的制造工艺、光刻机和制硅机的设计图纸...

【恭喜宿主获得

"电子科技革命

"技术方案】

【资料内容包括：】

【1.初代光刻机完整技术方案】

分辨率：2微米级光刻工艺

对准精度：±0.5微米

光源：高压汞灯，波长365纳米

可处理晶圆尺寸：最大4英寸

投影系统：5:1缩小投影，分辨率1.5微米

关键部件：精密光学系统，步进电机控制系统

【2.制硅机完整方案】

单晶硅拉制技术：直拉法（CZ法）

纯度：9N（99.9999999%）

晶向控制：＜100＞、＜111＞可选

最大拉制直径：4英寸

缺陷密度控制：＜1000个

平方厘米

掺杂控制：硼、磷、砷精确掺杂技术

【3.半导体基础理论】

PN结物理模型及数学描述

晶体管工作原理与设计公式

半导体材料特性与参数表

杂质掺杂控制理论

热扩散与离子注入技术基础

半导体器件失效分析方法

【4.初级集成电路全套技术】

小规模集成电路（SSI）设计方法

中规模集成电路（MSI）核心电路模块

基本逻辑门电路设计与优化

运算放大器设计与制造

数字-模拟转换器基础设计

光刻胶配方与工艺参数

掩膜版设计与制作技术

芯片封装与测试标准

【5.简化的半导体工厂设计方案】

百级无尘室建设标准与方案

关键设备布局与工艺流程

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